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1.
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在碳化硅基底上制备金刚石薄膜,采用场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜研究了在不同甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜表面形貌及物相组成,在干摩擦条件下通过往复式摩擦磨损实验测试并计算了已制备金刚石薄膜的摩擦系数和磨损率,结合物相分析及摩擦磨损实验结果分析了甲烷浓度的改变对金刚石薄膜摩擦磨损性能的影响。结果表明,由于甲烷气体含量的升高,金刚石薄膜结晶质量下降,薄膜由微米晶向纳米晶转变。摩擦磨损实验结果显示:3%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜耐磨性较好,磨损率为2.2×10-7 mm3/mN;5%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜摩擦系数最低(0.032),磨损率为5.7×10-7 mm3/mN,制备的金刚石薄膜的耐磨损性能相比于碳化硅基底(磨损率为9.89×10-5 mm3/mN)提升了两个数量级,显著提高了碳化硅基底的耐磨性。  相似文献   
2.
Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates.  相似文献   
3.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.  相似文献   
4.
We introduce extensions of the Mangasarian-Fromovitz and Abadie constraint qualifications to nonsmooth optimization problems with feasibility given by means of lower-level sets. We do not assume directional differentiability, but only upper semicontinuity of the defining functions. By deriving and reviewing primal first-order optimality conditions for nonsmooth problems, we motivate the formulations of the constraint qualifications. Then, we study their interrelation, and we show how they are related to the Slater condition for nonsmooth convex problems, to nonsmooth reverse-convex problems, to the stability of parametric feasible set mappings, and to alternative theorems for the derivation of dual first-order optimality conditions.In the literature on general semi-infinite programming problems, a number of formally different extensions of the Mangasarian-Fromovitz constraint qualification have been introduced recently under different structural assumptions. We show that all these extensions are unified by the constraint qualification presented here.  相似文献   
5.
Results of experimental investigations of the volt-brightness characteristics, frequency dependences of brightness, and the directional radiation pattern of electroluminescent MSDM, MSCM, and MSDCM emitters, where M stands for the first transparent and second nontransparent electrodes, S is a semiconductor, D is a thin-film dielectric, and C is a silicone-based composite liquid dielectric with a powdered segnetoelectric filler, developed on conventional “smooth” and rough glass substrates are presented. It is shown that electroluminescent structures on rough surfaces have a brightness approximately two times higher than that of similar structures developed on a “smooth” substrate. Ul’yanovsk State University, 42, L. Tolstoi St., Ul’yanovsk, 432700, Russia. Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 64, No. 4, pp. 507–512, July–August, 1997.  相似文献   
6.
一类交错级数的收敛定理   总被引:1,自引:0,他引:1  
苏翃  邱利琼  王大坤  董建 《大学数学》2006,22(5):143-145
讨论和分析了一类交错级数的收敛问题,给出了异于莱布尼兹判别法的关于交错级数的一个收敛定理.我们的结论还推广了正项级数的拉阿伯判别法的使用范围.  相似文献   
7.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长   总被引:2,自引:2,他引:0  
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。  相似文献   
8.
余云鹏  林舜辉  黄翀  林璇英 《物理实验》2004,24(5):37-39,41
在考虑基片与空气界面反射率以及基片吸收不能忽略的情况下,对常见的基片上薄膜的光强透过率公式进行了修正,导出了该情况下的透过率公式.以非晶硅薄膜为研究对象,采用模拟计算说明基片光学特性对薄膜光强透过谱的影响.  相似文献   
9.
多目标半定规划的互补弱鞍点和G-鞍点最优性条件   总被引:1,自引:0,他引:1  
对于含矩阵函数半定约束和多个目标函数的多目标半定规划问题,给出Lagrange函数在弱有效意义下的互补弱鞍点和Geofrrion恰当有效意义下的G-鞍点的定义及其等价定义.然后,在较弱的凸性条件下,利用含矩阵和向量约束的择一性定理,建立多目标半定规划的互补弱鞍点和G-鞍点充分必要条件.  相似文献   
10.
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词: 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底  相似文献   
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